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J-GLOBAL ID：200903037620466243

半導体装置及びその製造方法

Inventor： 大内 暁 ,  瀧澤 俊幸
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (10)： 前田 弘 ,  小山 廣毅 ,  竹内 宏 ,  嶋田 高久 ,  竹内 祐二 ,  今江 克実 ,  藤田 篤史 ,  二宮 克也 ,  原田 智雄 ,  井関 勝守
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005017841
Publication number (International publication number)：2006210472
Application date： Jan. 26, 2005
Publication date： Aug. 10, 2006
Summary：

【課題】 窒化ガリウム系化合物半導体層を用いた半導体装置において、半導体装置の動作時に、歪による結晶欠陥によってリーク電流が発生することを防止する。【解決手段】 窒化ガリウム系化合物半導体層よりなるチャネル層12とゲート電極17との間にゲート絶縁膜13を備えた半導体装置であって、ゲート絶縁膜13は、砒素が添加された窒化ガリウムよりなる。【選択図】 図1

Claim (excerpt)：

絶縁領域を備えた半導体装置であって、 前記絶縁領域は、砒素が添加された窒化ガリウムよりなることを特徴とする半導体装置。

IPC (5)：

H01L 29/786 ,  H01S 5/223 ,  H01S 5/323 ,  H01L 29/78 ,  H01L 21/336

FI (9)：

H01L29/78 617T ,  H01S5/223 ,  H01S5/323 610 ,  H01L29/78 301B ,  H01L29/78 301G ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/78 617V ,  H01L29/78 626C ,  H01L29/78 621

F-Term (53)：

5F058BD12 ,  5F058BD13 ,  5F058BF20 ,  5F058BF30 ,  5F058BF32 ,  5F058BF33 ,  5F058BH15 ,  5F058BJ01 ,  5F110AA06 ,  5F110AA12 ,  5F110AA26 ,  5F110BB03 ,  5F110CC02 ,  5F110DD04 ,  5F110DD12 ,  5F110EE43 ,  5F110FF01 ,  5F110FF07 ,  5F110FF27 ,  5F110GG04 ,  5F110GG42 ,  5F110HJ02 ,  5F110HJ13 ,  5F110HJ23 ,  5F110HK32 ,  5F110NN62 ,  5F110NN65 ,  5F110QQ08 ,  5F140AA07 ,  5F140AA24 ,  5F140AC36 ,  5F140BA06 ,  5F140BB18 ,  5F140BC12 ,  5F140BD04 ,  5F140BD17 ,  5F140BE09 ,  5F140BE14 ,  5F140BE17 ,  5F140BF01 ,  5F140BH21 ,  5F140BJ01 ,  5F140BK13 ,  5F140BK21 ,  5F140CB01 ,  5F173AA06 ,  5F173AA47 ,  5F173AF53 ,  5F173AF94 ,  5F173AH22 ,  5F173AP09 ,  5F173AR24 ,  5F173AR82

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

• 高移動度トランジスタ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-057069   Applicant：古河電気工業株式会社
• GaN系絶縁ゲート型トランジスタ及びその形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-327632   Applicant：古河電気工業株式会社