窒化物半導体素子及び窒化物半導体の成長方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996304259
Publication number (International publication number)：1998145002
Application date： Nov. 15, 1996
Publication date： May. 29, 1998
Summary：

【要約】【目的】主として窒化物半導体よりなるレーザ素子の閾値を低下させて室温で長時間連続発振させることにより、信頼性が高く、効率に優れた窒化物半導体素子を実現する。【構成】 n型窒化物半導体層を成長させた後、そのn型窒化物半導体層の表面に微細な凹凸を設けるか、成長後の窒化物半導体層の最表面に微細な凹凸が形成されるようにn型窒化物半導体層を成長させ、その後その凹凸が設けられたn型窒化物半導体層に接して、量子構造を有し、かつインジウムを含む窒化物半導体よりなる活性層を成長させることにより、レーザ素子の閾値が低下して、長時間連続発振可能となる。

Claim (excerpt)：

n型窒化物半導体層とp型窒化物半導体層との間に、量子構造を有する活性層が形成されてなる窒化物半導体素子において、前記活性層は表面に微細な凹凸が設けられたn型窒化物半導体層に接して形成されていることを特徴とする窒化物半導体素子。

IPC (2)：

H01S 3/18 , H01L 33/00

FI (2)：

H01S 3/18 , H01L 33/00 C

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

特開昭61-212085
半導体光増幅装置及びそれを用いた光通信ネツトワーク、集積型光ノード
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-151023 Applicant：キヤノン株式会社
特開平3-034594

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