Pat

J-GLOBAL ID：200903037798903647

ガス噴射ヘッド

Inventor： 堀江 邦明 ,  福永 由紀夫 ,  中田 勉 ,  柴崎 光直
Applicant, Patent owner： 株式会社荏原製作所
Agent (1)： 渡邉 勇 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000057727
Publication number (International publication number)：2000313961
Application date： Mar. 02, 2000
Publication date： Nov. 14, 2000
Summary：

【要約】【課題】 例えば2種以上の成膜原料を使用して基板に成膜する際に、これらの原料を成膜室に安定的に供給しつつ、成膜速度を高めることができるガス噴射ヘッドを提供する【解決手段】 原料ガスを含む2種以上のガスを個別に導入し、これらのガスを被処理基板に向けて噴射するためのガス噴射ヘッド20において、前記少なくとも2種のガスを個別に導く少なくとも2つのガス通路66,70と、前記各ガス通路66,70内を流れるガスを個別に温度制御または維持する少なくとも2つの温度制御機構とを有する。

Claim (excerpt)：

原料ガスを含む2種以上のガスを個別に導入し、これらのガスを被処理基板に向けて噴射するためのガス噴射ヘッドにおいて、前記少なくとも2種のガスを個別に導く少なくとも2つのガス通路と、前記各ガス通路内を流れるガスを個別に温度制御または維持する少なくとも2つの温度制御機構とを有することを特徴とするガス噴射ヘッド。

IPC (5)：

C23C 16/455 ,  H01L 21/285 ,  H01L 21/31 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8242

FI (4)：

C23C 16/455 ,  H01L 21/285 C ,  H01L 21/31 B ,  H01L 27/10 651

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 特開平3-122281
  
• 薄膜気相成長装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-153944   Applicant：株式会社荏原製作所
• 特開平3-122281
  
• 成膜処理方法及び成膜処理装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-148343   Applicant：東京エレクトロン株式会社