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J-GLOBAL ID:200903016360872237
成膜処理方法及び成膜処理装置
Inventor:
,
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
浅井 章弘
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1998148343
Publication number (International publication number):1999323560
Application date: May. 13, 1998
Publication date: Nov. 26, 1999
Summary:
【要約】【課題】 被処理体の表面に複合材料薄膜を成膜する際に、膜厚と膜組成の均一性を向上させることができる成膜方法を提供する。【解決手段】 活性化エネルギーが異なる金属元素を含む複数の処理ガスを、シャワーヘッド部32のガス噴射孔102A,102Bから処理容器2内へ噴出して供給し、載置台4上に載置された被処理体Wの表面に所定の成膜を施すようにした成膜処理方法において、前記処理ガスの内、活性化エネルギーが高くて反応性が弱い金属元素を含む処理ガスの噴出量を、前記シャワーヘッド部の中心部から周辺部に向けて次第に減少させると共に前記活性化エネルギーが低くて反応性が強い金属元素を含む処理ガスの噴出量を、前記シャワーヘッド部の面内において均一にし、前記被処理体の表面上における前記各処理ガスの金属元素の組成が略同一となるようにする。これにより、被処理体の表面に複合材料薄膜を成膜する際に、膜厚と膜組成の均一性を向上させる。
Claim (excerpt):
活性化エネルギーが異なる金属元素を含む複数の処理ガスを、シャワーヘッド部のガス噴射孔から処理容器内へ噴出して供給し、載置台上に載置された被処理体の表面に所定の成膜を施すようにした成膜処理方法において、前記処理ガスの内、活性化エネルギーが高くて反応性が弱い金属元素を含む処理ガスの噴出量を、前記シャワーヘッド部の中心部から周辺部に向けて次第に減少させると共に前記活性化エネルギーが低くて反応性が強い金属元素を含む処理ガスの噴出量を、前記シャワーヘッド部の面内において均一にし、前記被処理体の表面上における前記各処理ガスの金属元素の組成が略同一となるようにしたことを特徴とする成膜処理方法。
IPC (4):
C23C 16/44
, C23C 16/40
, H01L 21/205
, H01L 21/31
FI (4):
C23C 16/44 D
, C23C 16/40
, H01L 21/205
, H01L 21/31 C
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (7)
-
成膜装置および成膜方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平6-168437
Applicant:株式会社ジーティシー
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金属複合酸化物薄膜の製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平5-133047
Applicant:日本電気株式会社
-
高誘電率薄膜構造、高誘電率薄膜形成方法および高誘電率薄膜形成装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平8-025245
Applicant:三菱電機株式会社
-
気相成長装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平8-218655
Applicant:富士通株式会社
-
成膜方法及びその装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平9-130260
Applicant:東京エレクトロン株式会社
-
処理チャンバ内の複数領域ガス流コントロール
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平9-231663
Applicant:アプライドマテリアルズインコーポレイテッド
-
窒化チタン薄膜の作製方法及びCVD装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平10-241138
Applicant:アネルバ株式会社
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