MOSトランジスタの製造方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：中村純之助 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994183149
Publication number (International publication number)：1995226513
Application date： Aug. 04, 1994
Publication date： Aug. 22, 1995
Summary：

【要約】【構成】シリコン基板51上に形成した酸化防止層のチャネル領域部分を除去し、次に、酸化防止層をマスクとしてシリコン基板51を熱酸化してチャネル領域の上に酸化層を形成し、酸化防止層を除去した後、低濃度の不純物イオン注入を行い、次に、酸化層を除去し、次に、該酸化層を除去した領域にゲート絶縁層57を介してゲート58′を形成し、次に、ゲート電極58′をマスクとして高濃度の不純物イオン注入を行う構成。【効果】ソース/ドレイン領域がゲートの下端より高く、LDD構造と浅い接合を有するので、ショートチャネル効果を改善でき、また、ソース/ドレインが単結晶半導体からなるので、漏えい電流を減少できる。また、ゲートチャネルが半導体基板の表面より下方の凹部にあるので、トランジスタのホットキャリア特性とショートチャネル効果を改善することができる。

Claim (excerpt)：

半導体基体上に酸化防止層を形成し、トランジスタのチャネル領域の前記酸化防止層を除去する第1の工程と、前記半導体基板を熱酸化して前記チャネル領域の上に酸化層を形成し、前記酸化防止層を除去した後、第1の不純物イオン注入を行う第2の工程と、前記酸化層を除去する第3の工程と、前記酸化層を除去した領域にゲート電極を形成する第4の工程と、前記ゲート電極をマスクとして用いて第2の不純物イオン注入を行う第5の工程とを含んでなることを特徴とするMOSトランジスタの製造方法。

FI (2)：

H01L 29/78 301 V , H01L 29/78 301 S

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (8)

特開平3-296272
特開昭52-091381
薄膜トランジスタ及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-262263 Applicant：シヤープ株式会社

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