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J-GLOBAL ID：200903037880355356

半導体素子

Inventor：
宇田川 隆

About 宇田川 隆


Applicant, Patent owner：
昭和電工株式会社

About 昭和電工株式会社


Agent (1)： 矢口 平
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995120231
Publication number (International publication number)：1996316141
Application date： May. 18, 1995
Publication date： Nov. 29, 1996
Summary：
【要約】【目的】 第VI族元素が添加された含窒素 III-V族化合物半導体を得るに際し、ドーピング効率がよく、かつ炭素濃度の汚染を低く抑制ですること。【構成】 化合物半導体素子はアルミニウム、ガリウム、インジウムの少なくとも一つを含む第 III族の元素と少なくとも窒素を含む第V族の元素との III-V族化合物半導体から構成されている。このドーピング源は第VI族の元素を含み、炭素原子と窒素原子が結合したもしくは窒素原子と水素原子が結合した置換基を含まず、また酸素原子も含まない特定の有機化合物を用いる。
Claim (excerpt)：
アルミニウム、ガリウム及びインジウムのうち少なくとも1種の元素と、少なくとも窒素を含む第V族元素とからなる III-V族化合物半導体素子であって、ドーパントとして硫黄、セレン及びテルルのうち少なくとも1種の元素と、炭素原子数3以上の炭化水素基を含む鎖状炭化水素化合物を用いてドーピングしてなることを特徴とする III-V族化合物半導体素子。
IPC (5)：
H01L 21/20 ,  H01L 21/02 ,  H01L 21/203 ,  H01L 21/205 ,  H01L 33/00
FI (5)：
H01L 21/20 ,  H01L 21/02 B ,  H01L 21/203 M ,  H01L 21/205 ,  H01L 33/00 C
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (1)
  • 半導体薄膜の成長方法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-138166   Applicant：旭化成工業株式会社
Cited by examiner (1)
  • 半導体薄膜の成長方法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-138166   Applicant：旭化成工業株式会社

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