半導体装置

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：鈴木弘男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995150466
Publication number (International publication number)：1997008060
Application date： Jun. 16, 1995
Publication date： Jan. 10, 1997
Summary：

【要約】 (修正有)【目的】マウントする実装基板またはパッケージのマウント面の平坦性の精度が低くてもマウント面への電気的接触および放熱パスを確保することができるフリップチップ型構造を有する半導体装置の提供。【構成】基板上にソース電極とゲート電極とドレイン電極とを複数配置して電界効果トランジスタ素子部を形成し、該素子部の少なくとも2つ以上のソース電極を互いにエアブリッジ配線で結合させた半導体チップのエアブリッジ配線面がチップを実装する媒体のマウント面にマウント材により接着あるいは熱的に圧着されるか、電界効果トランジスタ素子部のゲート電極、または、ゲート電極とドレイン電極およびソース電極のいずれか一方の電極との上に誘電体層が形成され、誘電体層と誘電体層に覆われていない電極とにマウント用導体層が形成されて電体層に覆われていない電極を電気的に接合させた半導体チップのマウント用導体層が実装しようとする媒体のマウント面にマウント材により接着あるいは熱的に圧着される。

Claim (excerpt)：

半導体基板上にソース電極とゲート電極とドレイン電極とを複数配置して電界効果トランジスタ素子部を形成し、該電界効果トランジスタ素子部の少なくとも2つ以上のソース電極またはドレイン電極を互いにエアブリッジ配線で結合させた半導体チップを搭載し、該半導体チップのエアブリッジ配線面が該半導体チップを実装する媒体のマウント面にマウント材により接着あるいは熱的に圧着されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (3)：

H01L 21/338 , H01L 29/812 , H01L 29/78

FI (2)：

H01L 29/80 G , H01L 29/78 301 W

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

特開平4-219937
特開昭55-151370
特開昭64-050470

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