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J-GLOBAL ID：200903037954129515

干渉フィルタの製造手段、干渉フィルタ、波長可変干渉フィルタ製造手段、波長可変干渉フィルタ、及び、波長選択フィルタ

Inventor：
武田 高司

About 武田 高司


Applicant, Patent owner：
セイコーエプソン株式会社

About セイコーエプソン株式会社


Agent (1)： 上柳 雅誉 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001037511
Publication number (International publication number)：2002243937
Application date： Feb. 14, 2001
Publication date： Aug. 28, 2002
Summary：
【要約】【課題】曲面でも、反射膜間距離を面内で一定にできる干渉フィルタと製造手段、反射膜間隔を変化できる波長可変干渉フィルタと製造手段、時系列にRGBを出射する波長選択フィルタ、及び、非常に波長分離精度の良い通信用波長選択フィルタを提供する。【解決手段】反射膜間にアモルファス・シリコン犠牲層の成膜を行い、弗化キセノンガスで除去することにより、高温で損傷を生ずる高反射率の反射膜が使用でき、しかも、犠牲層除去時に薄膜、光学部材にダメージを与えることの無い製造手段が得られる。また、上記組み合わせと静電及び圧電アクチュエータを作り込むことにより、電圧で透過波長を制御できる波長可変干渉フィルタが実現できる。
Claim (excerpt)：
第1の工程で、透明基板上に第1の反射膜を成膜すること、第2の工程で、透過、または、反射させる波長λに対し、位相整合条件(間隔を往復した時の光の位相変化が2πの整数倍であること)を満たす厚さ相当の犠牲層を成膜すること、第3の工程で、前記犠牲層膜にアンカー穴を形成すること、第4の工程で、前記アンカー穴を持つ犠牲層膜上に膜をアンカー穴に沿って成膜を行い、第5の工程で、第4の工程で成膜した膜の、光を透過、または、反射させる部分をパターンニングによって除去すること、第6の工程で、第2の反射膜を成膜すること、第7の工程で、前記犠牲層を除去すること、を特徴とする干渉フィルタ製造手段。
IPC (5)：
G02B 5/28 ,  B81B 3/00 ,  B81C 1/00 ,  C23C 16/24 ,  G02B 26/00
FI (5)：
G02B 5/28 ,  B81B 3/00 ,  B81C 1/00 ,  C23C 16/24 ,  G02B 26/00
F-Term (19)：
2H041AA21 ,  2H041AB14 ,  2H041AC06 ,  2H041AC08 ,  2H041AZ02 ,  2H041AZ08 ,  2H048GA07 ,  2H048GA13 ,  2H048GA15 ,  2H048GA23 ,  2H048GA25 ,  2H048GA48 ,  2H048GA51 ,  2H048GA62 ,  4K030BA29 ,  4K030DA08 ,  4K030HA02 ,  4K030JA01 ,  4K030LA11
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (7)
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Cited by examiner (7)
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