ガス濃度測定装置

Inventor： ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (1)：西村教光
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997077747
Publication number (International publication number)：1998267839
Application date： Mar. 28, 1997
Publication date： Oct. 09, 1998
Summary：

【要約】【課題】半導体レーザモジュールおよび受光部までの光学系に起因する戻り光、レーザ光の干渉等の影響を大幅に抑え、受光信号の変動を小さくする。【解決手段】 LDバイアス電流値により半導体ーザのバイアス電流を設定するバイアス電流生成回路14a,14b,14cと、基本波変調電流値により変調周波数の基本波であるFmのレベルを設定する基本波変調電流生成回路14d,14e,14fと、LD抑圧電流値により変調周波数の2倍波のレベルを設定する抑圧電流生成回路14g,14h,14i,14j,14k,14l,14mと、LD受光レベル変動抑圧電流値により基本波変調周波数のn倍の変調周波数nFmのレベルを設定する受光レベル変動抑圧電流生成回路14p,14qと、これら回路により設定された電流を加算する加算回路14nと、加算された電流により半導体レーザを変調駆動する半導体レーザ駆動アンプ14oとにより、半導体レーザの発振波長を安定化する電流安定化回路14を構成する。

Claim (excerpt)：

所定周波数(Fm)で変調したレーザ光を発射する半導体レーザ(3)を有する光源部(51)と、該光源部より所定の距離隔てて前記半導体レーザの光路上に配置され、該半導体レーザからの光を集光して受光する受光部(31)と、該受光部が受光した光による電気信号に基づいて前記光源部と前記受光部との間におけるガス濃度を計測する計測部(32)とを備えたガス濃度測定装置において、前記周波数で変調したレーザ光を発射する半導体レーザにさらに前記周波数よりかなり高い倍率(n)の周波数(nFm)で変調を重畳する信号重畳手段(14)を備えたことを特徴とするガス濃度測定装置。

IPC (2)：

G01N 21/39 , G01N 21/01

FI (2)：

G01N 21/39 , G01N 21/01 D

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

遠隔ガス濃度測定方法及びその装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-290770 Applicant：日立電線株式会社
特開昭60-253953
特開昭60-202329

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