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J-GLOBAL ID:200903037984581293

単結晶引上装置の真空排気装置

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 衞藤 彰
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1996059914
Publication number (International publication number):1997221381
Application date: Feb. 08, 1996
Publication date: Aug. 26, 1997
Summary:
【要約】【課題】 従来のコンダクタンスバルブ等を使用しなくても炉内圧力制御範囲を拡大し、単結晶引上装置から真空ポンプ室までの配管スペース、設置コスト、消費電力等を削減し且つ故障の少ない真空排気システムを提供する。【解決手段】 単結晶引上装置1のチャンバー内圧力を減圧維持するための真空排気システムをルーツ型真空ポンプ6とドライ真空ポンプ9で構成する。単結晶引上装置1の排気口とルーツ型真空ポンプ6の吸気口を略3m以内の配管長さで接続する。ルーツ型真空ポンプ6の排気口とドライ真空ポンプ9の吸気口を略100m以内の配管長さで接続する。ルーツ型真空ポンプ6は、インバーター装置4により回転数可変として構成する。ルーツ型真空ポンプ6の吸気口にはサイクロン型集塵装置5を装着する。
Claim (excerpt):
チャンバー内に不活性ガスを供給しながら、該チャンバー内に収容されたルツボ内の原料融液から単結晶を引上げ成長させる単結晶引上装置において、該単結晶引上装置のチャンバー内圧力を減圧維持するための真空排気システムを、該単結晶引上装置の排気口と略3m以内の配管長さで吸気口を介して接続されたルーツ型真空ポンプと、該ルーツ型真空ポンプの排気口と略100m以内の配管長さで吸気口を介して接続されたドライ真空ポンプとにより構成されることを特徴とする単結晶引上装置の真空排気装置。
IPC (3):
C30B 15/00 ,  C30B 29/06 502 ,  H01L 21/208
FI (3):
C30B 15/00 Z ,  C30B 29/06 502 K ,  H01L 21/208 P
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (4)
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