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J-GLOBAL ID：200903038051933985

窒化物半導体層の選択成長方法

Inventor：
木村 明隆

About 木村 明隆

, 
小林 隆二

About 小林 隆二


Applicant, Patent owner：
日本電気株式会社

About 日本電気株式会社


Agent (1)： 稲垣 清
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998227784
Publication number (International publication number)：2000058461
Application date： Aug. 12, 1998
Publication date： Feb. 25, 2000
Summary：
【要約】 (修正有)【課題】 従来の選択成長法に従って一般式Inx Aly Ga1-x-y N(0≦X≦1、0≦Y≦1) で表される窒化物半導体層を選択成長させると、マスク上に多結晶が析出するという問題があった。本発明は、マスク上の結晶成長を抑制した、アルミニウムを含む窒化物半導体層の選択成長方法を提供する。【解決手段】 本方法では、開口パターンを有するマスク104を使って、一般式Inx Aly Ga1-x-y N(0≦X≦1、0≦Y≦1)で表される窒化物半導体層105をマスクの開口部に露出する下地層103上に選択成長させる際、基板温度を600°C以上800°C以下の範囲の温度にする。好適には、アンモニアに比べ低温での分解効率が良いヒドラジンまたはその誘導体をV族原料として用いる。
Claim (excerpt)：
開口パターンを有するマスクを使って、一般式Inx AlyGa1-x-y N(0≦X≦1、0≦Y≦1)で表される窒化物半導体層をマスクの開口部に露出する下地層上に選択成長させる際、基板温度を600°C以上800°C以下の範囲の温度にすることを特徴とする窒化物半導体層の選択成長方法。
IPC (5)：
H01L 21/205 ,  C23C 16/18 ,  C23C 16/34 ,  H01L 33/00 ,  H01S 5/30
FI (5)：
H01L 21/205 ,  C23C 16/18 ,  C23C 16/34 ,  H01L 33/00 C ,  H01S 3/18
F-Term (51)：
4K030AA11 ,  4K030BA02 ,  4K030BA08 ,  4K030BA11 ,  4K030BA38 ,  4K030BB12 ,  4K030BB14 ,  4K030CA05 ,  4K030DA02 ,  4K030FA10 ,  4K030HA01 ,  4K030JA10 ,  4K030LA01 ,  4K030LA12 ,  4K030LA18 ,  5F041AA40 ,  5F041CA04 ,  5F041CA05 ,  5F041CA23 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA65 ,  5F041CA74 ,  5F045AA04 ,  5F045AB18 ,  5F045AB40 ,  5F045AC12 ,  5F045AD10 ,  5F045AD11 ,  5F045AD12 ,  5F045AF04 ,  5F045AF09 ,  5F045AF20 ,  5F045BB12 ,  5F045BB18 ,  5F045DB01 ,  5F045DB02 ,  5F045HA02 ,  5F045HA03 ,  5F073AA13 ,  5F073AA51 ,  5F073AA55 ,  5F073AA74 ,  5F073CA07 ,  5F073CB05 ,  5F073CB07 ,  5F073CB10 ,  5F073DA05 ,  5F073DA22 ,  5F073DA24
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (5)
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