GaN系半導体装置とその製造方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：長門侃二
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997032355
Publication number (International publication number)：1998229051
Application date： Feb. 17, 1997
Publication date： Aug. 25, 1998
Summary：

【要約】【課題】 n型およびp型のGaN系半導体層にオーミック接触状態で装荷される電極とその形成方法を提供する。【解決手段】 n型電極の場合は、W,Cr,Ti,Moの群から選ばれる少なくとも1種を含み、n型GaN系半導体層2の表層部に形成されたSnとInとの共存領域B1またはSiとInとの共存領域B1を介してn型GaN系半導体層2に装荷されており、p型電極の場合は、W,Tiの群から選ばれる少なくとも1種を含み、p型GaN系半導体層の表層部に形成されたZnとInとの共存領域またはMgとInとの共存領域を介してp型GaN系半導体層に装荷されている。

Claim (excerpt)：

W,Cr,Ti,Moの群から選ばれる少なくとも1種を含むn型電極が、n型GaN系半導体層の表層部に形成されたSnとInとの共存領域またはSiとInとの共存領域を介して前記n型GaN系半導体層に装荷されていることを特徴とするGaN系半導体装置。

IPC (2)：

H01L 21/28 301 , H01L 33/00

FI (3)：

H01L 21/28 301 H , H01L 33/00 E , H01L 33/00 C

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (7)

電極構造の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-164379 Applicant：シャープ株式会社
窒化物系半導体素子およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-211793 Applicant：旭化成工業株式会社
3-5族化合物半導体用電極の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-092323 Applicant：住友化学工業株式会社

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