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J-GLOBAL ID：200903038076436285

成膜装置

Inventor： 石橋 義
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 逢坂 宏
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996087215
Publication number (International publication number)：1997256142
Application date： Mar. 15, 1996
Publication date： Sep. 30, 1997
Summary：

【要約】【課題】 成膜材料に含まれている不純物が成膜層へ混入するのを抑制し、高発光効率、高輝度、長寿命、低電圧駆動を実現できる有機EL素子の成膜装置を提供すること。【解決手段】 成膜室12の側面に連通する基板導入室16を有する真空蒸着装置11の下部に、この成膜室12に連通する加熱処理室19a、19bを設け、成膜材料をこの加熱処理室19a又は19bで予め加熱して、この材料に含まれている不純物をガス化して外部へ放出処理した後、この材料を成膜室12へ移送して基板6に蒸着する。

Claim (excerpt)：

成膜材料を加熱して飛翔させる成膜領域と、この成膜領域から分離して付設された成膜材料加熱処理領域とを有し、前記成膜領域及び前記成膜材料加熱処理領域が真空状態に保持される成膜装置。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-028659   Applicant：出光興産株式会社
• 特開平3-207860
  
• チャンバシステム
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-088277   Applicant：株式会社日立製作所