半導体装置およびその製造方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：山口巖
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993242268
Publication number (International publication number)：1995099307
Application date： Sep. 29, 1993
Publication date： Apr. 11, 1995
Summary：

【要約】【目的】SIPOS膜からなるフィールドプレートの応力を低減するために酸化膜ではさむ場合、SIPOS膜が多孔質であったり、酸素原子とSi原子の結合がゆるかったりするために起こる不具合を除去する。【構成】SIPOS膜の形成後、表面層を熱酸化して上層の酸化膜を形成すれば、その際SIPOSが緻密となり膜質が均一となる。しかし、この熱酸化工程が基板内の不純物拡散層の深さやゲート酸化膜に影響を及ぼすのを防ぐため、フィールド酸化膜形成直後に、SIPOS膜および両酸化膜の形成を行い、不純物拡散やゲート酸化膜形成はそのあとで行う。

Claim (excerpt)：

半導体基板の表面上に酸化シリコン膜にはさまれた酸素含有多結晶シリコン膜からなる抵抗性フィールドプレートを有するものにおいて、酸素含有多結晶シリコン膜をはさむ両酸化シリコン膜が熱酸化膜であることを特徴とする半導体装置。

IPC (3)：

H01L 29/78 , H01L 21/331 , H01L 29/73

FI (2)：

H01L 29/78 321 W , H01L 29/72

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

高耐圧半導体素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-040682 Applicant：株式会社東芝
特開昭60-041258
特開平1-270356

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