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J-GLOBAL ID：200903038197032173

半導体装置およびその製造方法

Inventor： 安東 幸司 ,  園田 琢二
Applicant, Patent owner： 三菱電機株式会社
Agent (1)： 高田 守
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992092622
Publication number (International publication number)：1993291305
Application date： Apr. 13, 1992
Publication date： Nov. 05, 1993
Summary：

【要約】【目的】 チャンネル層における2次元電子ガスの閉じ込め効果を大きくして高周波特性ならびに雑音特性が改善された半導体装置を得る。【構成】 GaAs基板上にInx Ga1-x Asチャンネル層とAly Ga1-yAs電子供給層とをこの順序でエピタキシャル成長させてなり、上記Inx Ga1-x Asチャンネル層における2次元電子ガスの閉じ込め効果が大きくなるように上記各層のエピタキシャル成長条件を設定したことを特徴とする。

Claim (excerpt)：

GaAs基板上にエピタキシャル成長により順次に形成されたInx Ga1-x Asチャンネル層とAly Ga1-y As電子供給層とGaAsコンタクト層とを含み、上記Inx Ga1-x Asチャンネル層中におけるInの組成比xが基板側よりも電子供給層側において大であることを特徴とする半導体装置。

IPC (3)：

H01L 21/338 ,  H01L 29/812 ,  H01L 21/20

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 特開平1-074764
  
• 特開平1-199475
  
• 化合物半導体結晶成長法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-170804   Applicant：日本電気株式会社
• 特開平2-202029