炭化ケイ素の金属拡散障壁層

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：ウオーレン・ジー・シミオール
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996012429
Publication number (International publication number)：1996250594
Application date： Jan. 29, 1996
Publication date： Sep. 27, 1996
Summary：

【要約】誘電材料によって分離された隣接導体間の金属原子の拡散を防止する障壁層として炭化ケイ素を提供することである。【構成】この優れた構成によって、集積回路および配線板に低抵抗率金属および低誘導率誘電体層を使用することができる。

Claim (excerpt)：

(A)固体デバイス領域を有する半導体基板、および半導体基板の表面に蒸着され固体デバイス領域を相互に接続する金属配線からなる回路サブアセンブリ;(B)少なくとも前記金属配線を被覆するアモルフアス炭化ケイ素層;および(C)少なくとも前記炭化ケイ素層を被覆する誘電体層からなることを特徴とする集積回路。

IPC (2)：

H01L 21/768 , H01L 21/3205

FI (3)：

H01L 21/90 D , H01L 21/88 R , H01L 21/88 Q

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

特開昭63-136567
半導体集積回路配線構造体
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-065413 Applicant：川崎製鉄株式会社
特開平1-283838

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