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J-GLOBAL ID：200903038219009243

窒化硅素(Si3N4)ナノロッドとその製造方法

Inventor： 板東 義雄 ,  ガオ・イオハ
Applicant, Patent owner： 独立行政法人物質・材料研究機構
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003021044
Publication number (International publication number)：2004231456
Application date： Jan. 29, 2003
Publication date： Aug. 19, 2004
Summary：

【課題】実用化に適用できる性能を有し、安価で簡便にしかも大量に合成可能な窒化硅素(Si3N4)ナノロッドと、その製造方法を提供する。【解決手段】還元剤の非晶質活性化炭素(AAC)粉末を用い、酸化珪素(SiO)粉末を窒素ガス環境下に1350°C〜1400°Cの温度に加熱し、直径20〜80nm、長さ1〜10μmの窒化硅素(Si3N4)ナノロッドとする。【選択図】 図1

Claim (excerpt)：

直径が20〜80nmで長さが1〜10ミクロンであることを特徴とする窒化硅素(Si3N4)ナノロッド。

IPC (1)：

C01B21/068

FI (1)：

C01B21/068 H

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

• 窒化珪素ナノウィスカー及びその製造方法
  Gazette classification：公表公報   Application number：特願平9-506971   Applicant：ハイピリオンカタリシスインターナショナルインコーポレイテッド
• 特開昭61-295298
  

Cited by examiner (2)

• 窒化珪素ナノウィスカー及びその製造方法
  Gazette classification：公表公報   Application number：特願平9-506971   Applicant：ハイピリオンカタリシスインターナショナルインコーポレイテッド
• 特開昭61-295298