窒化珪素ナノウィスカー及びその製造方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：浅村皓 (外3名)
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：1997506971
Publication number (International publication number)：1999509825
Application date： Jul. 24, 1996
Publication date： Aug. 31, 1999
Summary：

【要約】主に、実質的に約200nmより小さな直径を有する窒化珪素ナノウィスカーが開示されている。Si3N4ナノウィスカーは、ガス状SiOとN2とを、反応領域中で、上昇させた温度及び圧力で、3.5〜70nmの直径を有する複数の分散炭素ナノチューブの存在下で反応させることにより製造する。

Claim (excerpt)：

主に、実質的に約200nmより小さな直径を有する複数の窒化珪素ナノウィスカー。

IPC (2)：

C30B 29/62 , C01B 21/068

FI (2)：

C30B 29/62 R , C01B 21/068 G

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (16)

特公昭49-027755
特開平1-278500
窒化ケイ素ウイスカ-の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-313139 Applicant：三井鉱山株式会社

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