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J-GLOBAL ID：200903038219582709
半導体装置
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
鈴江 武彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994042978
Publication number (International publication number)：1995092500
Application date： Mar. 15, 1994
Publication date： Apr. 07, 1995
Summary：
【要約】【目的】コプラナ型TFTおよび逆スタガ型TFTのゲート絶縁膜の膜厚を最適なものにできる構造の液晶表示装置を提供すること。【構成】画素部の逆スタガ型TFTと駆動部のコプラナ型TFTとが同一の絶縁性基板1上に形成され、コプラナ型TFTのゲート絶縁膜3aと逆スタガ型TFTの下部絶縁膜3bとが同一の第1の絶縁膜3で形成され、且つコプラナ型TFTのゲート電極4aと逆スタガ型TFTのゲート電極4bとが同一の導電膜で形成され、且つコプラナ型TFTの層間絶縁膜5aと逆スタガ型TFTのゲート絶縁膜5bとが同一の第2の絶縁膜5で形成されていることを特徴とする。
Claim (excerpt)：
基板上に設けられた第1種の薄膜トランジスタと、基板上に設けられた第2種の薄膜トランジスタとを具備してなり、前記第1種の薄膜トランジスタの下部には下部絶縁膜が設けられ、この下部絶縁膜と前記第2種の薄膜トランジスタのゲート絶縁膜とが、前記基板上に形成された同一の第1の絶縁膜からなることを特徴とする半導体装置。
IPC (2)：
G02F 1/136 500
, H01L 29/784
Cited by examiner (6)
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