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J-GLOBAL ID：200903038232286329

トレンチ・セル・キャパシタ

Inventor： ヨハン・アルスマイナー ,  ジャック・アラン・マンデルマン ,  ジェームズ・アンソニー・オネイル ,  クリストファー・パークス ,  ポール・クリスチャン・パリーズ
Applicant, Patent owner： インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション ,  シーメンス・アクチエンゲゼルシャフト
Agent (1)： 坂口 博 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997194247
Publication number (International publication number)：1998074910
Application date： Jul. 18, 1997
Publication date： Mar. 17, 1998
Summary：

【要約】【課題】 基板内の反転層をキャパシタ用のプレート対電極として使用することにより高キャパシタンスを達成する集積回路キャパシタを提供する。【解決手段】 この反転層は、軽度ドープ基板内にトレンチ・キャパシタを形成することによって作成される。記憶ノード材と分離バンドとの十分な仕事関数差により、軽度ドープ基板の表面が反転し、反転電荷が分離バンドによって供給される。この反転層は、キャパシタ用のプレート対電極として機能する。

Claim (excerpt)：

a)軽度ドープ基板と、b)前記基板内に延びる深型トレンチ記憶ノードと、c)前記深型トレンチ記憶ノードと前記基板との間の誘電体と、d)前記基板内の反転領域を含む対電極とを含むことを特徴とする、集積回路キャパシタ。

IPC (4)：

H01L 27/108 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822

FI (2)：

H01L 27/10 625 A ,  H01L 27/04 C

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

• メモリセルアレイ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-167475   Applicant：テキサスインスツルメンツインコーポレイテツド

Cited by examiner (1)

• メモリセルアレイ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-167475   Applicant：テキサスインスツルメンツインコーポレイテツド