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J-GLOBAL ID：200903038237871084

結晶成長方法および結晶成長用装置

Inventor：
三城 明

About 三城 明


Applicant, Patent owner：
住友金属工業株式会社

About 住友金属工業株式会社


Agent (1)： 深見 久郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998227879
Publication number (International publication number)：2000063200
Application date： Aug. 12, 1998
Publication date： Feb. 29, 2000
Summary：
【要約】【課題】 タンパク質等の生体高分子を結晶化させるのに適した方法および装置を提供する。【解決手段】 結晶成長用装置は、高分子化合物を含む溶液23の環境に応じて表面部分の正孔または電子の濃度を制御できるよう価電子が制御された領域22aを有する固体素子22と、領域22aの近傍に設けられる発熱素子24とを含む。価電子が制御された領域22aは、シリコン半導体基板上に形成された不純物領域である。発熱素子24は、Crの電熱線を有する。結晶成長方法において、溶液23は、発熱素子24によって加熱される。領域22aの表面にもたらされる電気的状態の下、加熱された溶液23から、高分子化合物の結晶が生成される。
Claim (excerpt)：
溶液中に含まれる高分子化合物の結晶を成長させる方法であって、前記高分子化合物を含む溶液の環境に応じて表面部分の正孔または電子の濃度を制御できるよう価電子が制御された領域を有する固体素子を与える工程と、前記固体素子の前記価電子が制御された領域またはその近傍に、発熱素子を設ける工程と、前記価電子が制御された領域上に前記高分子化合物を含む溶液を保持する工程と、前記保持された溶液を、前記発熱素子によって加熱する工程とを備え、前記制御された価電子により前記固体素子の表面にもたらされる電気的状態の下、前記加熱された溶液から、前記高分子化合物の結晶を生成させることを特徴とする、結晶成長方法。
IPC (2)：
C30B 29/58 ,  C08J 3/00
FI (2)：
C30B 29/58 ,  C08J 3/00
F-Term (12)：
4F070AA01 ,  4F070AA61 ,  4F070AA62 ,  4F070BA07 ,  4F070BB06 ,  4G077AA01 ,  4G077BF05 ,  4G077CB02 ,  4G077CB08 ,  4G077ED04 ,  4G077ED06 ,  4G077HA20
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (4)
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