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J-GLOBAL ID：200903038295667578

単結晶成長方法および単結晶成長装置

Inventor： 岡本 篤人 ,  杉山 尚宏 ,  谷 俊彦
Applicant, Patent owner： 株式会社豊田中央研究所
Agent (1)： 伊藤 求馬
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995236027
Publication number (International publication number)：1997059085
Application date： Aug. 22, 1995
Publication date： Mar. 04, 1997
Summary：

【要約】【課題】 長手方向、径方向の均一性が高く、かつ高品質な単結晶を成長させる方法および装置を提供する。【解決手段】 上記種結晶3の端面に対向して、かつ該端面と平行に熱輻射体5を配置する。種結晶3上に成長する単結晶の成長端面と、対向する熱輻射体5表面との距離が常に一定となるように、種結晶3を上方へ移動させつつ単結晶の成長を行う。熱輻射体5にて種結晶3を均一に加熱し、しかも成長端面と熱輻射体5との距離を一定に保つことで、成長端面の面内温度を均一かつ一定にし、均質な単結晶を得る。

Claim (excerpt)：

単結晶となる原料のガスを種結晶に供給し、該種結晶上に単結晶を成長させる方法において、上記種結晶の端面に対向して、かつ該端面と平行に熱輻射体を配置し、上記種結晶の端面上に成長する単結晶の成長端面とこれに対向する上記熱輻射体表面との距離が一定となるように、上記熱輻射体に対し上記種結晶を相対移動させつつ単結晶の成長を行うことを特徴とする単結晶成長方法。

IPC (2)：

C30B 23/00 ,  C30B 29/36

FI (2)：

C30B 23/00 ,  C30B 29/36 A

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• ダイヤモンドの合成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-126014   Applicant：住友電気工業株式会社
• 特開昭59-054697