半導体装置の絶縁膜の形成方法

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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：鈴江武彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996064721
Publication number (International publication number)：1997260372
Application date： Mar. 21, 1996
Publication date： Oct. 03, 1997
Summary：

【要約】【課題】CVD法によりシリコン窒化膜を形成するとき、原料ガスに含まれる水素が膜中に導入されることにより欠陥が発生してリーク電流を生じ易いこと、このためシリコン窒化膜を半導体基板上のメモリキャパシタの絶縁膜とするとき、信頼性低下の原因となることを防止する方法を提供して、シリコン窒化膜の絶縁特性を向上させる。【解決手段】CVD法でシリコン窒化膜を形成し、引き続きCVDチャンバー中で高温熱処理を行って、シリコン窒化膜の形成中にシリコン窒化膜に導入された水素ガスを外部に放出し、シリコン窒化膜を低水素化することにより、信頼性の高いキャパシタ用絶縁膜を得ることができる。

Claim (excerpt)：

CVD法によりシリコン窒化膜を形成する工程と、前記シリコン窒化膜形成後熱処理することによりシリコン窒化膜に含まれる水素含有量を低減する工程とを有することを特徴とするとする半導体装置の絶縁膜の形成方法。

IPC (6)：

H01L 21/318 , H01L 21/324 , H01L 27/04 , H01L 21/822 , H01L 29/78 , H01L 21/336

FI (4)：

H01L 21/318 B , H01L 21/324 Z , H01L 27/04 C , H01L 29/78 301 P

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

特開平2-186632
特開平1-169932
半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-071928 Applicant：川崎製鉄株式会社

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