超微小放出領域を有する負電子親和力フォトカソードを利用した電子ソース

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (1)：竹内澄夫 (外1名)
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：1997505847
Publication number (International publication number)：1999509360
Application date： Jun. 27, 1996
Publication date： Aug. 17, 1999
Summary：

【要約】電子ソースは,透光基板上の負電子親和力フォトカソード及び電子を伝導帯へ励起するべくフォトカソードの基板を通過した光線を導くための光線ジェネレータを含む。該フォトカソードは,少なくとも一つの大きさが約2ミクロン以下の電子放出活性領域を有する。当該電子ソースはさらに電子を電子ビームに成形するための電子光学部材及び該フォトカソードを高真空に維持するための真空エンクロージャを含む。ひとつの実施例において,フォトカソードの活性放出領域は該フォトカソードに入射する光線によって画成される。他の実施例において,フォトカソードの活性放出領域はフォトカソードの表面修正によって予め画成される。ソースはフォトカソードの超小活性放出領域から非常に高輝度をもたらす。

Claim (excerpt)：

電子ソースであって, 光透過性基板上の負電子親和力フォトカソードであって,該フォトカソードは伝導帯及び少なくとも一つの電子放出用の活性領域を有し,該活性領域は一つ以上の約2ミクロン以下の寸法を有するところのフォトカソードと, 電子を前記フォトカソードの伝導帯内へ励起するために,前記光透過性基板を通じて光線を前記フォトカソードの活性領域に導くための光線ジェネレータと, 前記フォトカソードの活性領域から放出された電子を電子ビームに成形するための電子光学素子と, 前記フォトカソードの伝導帯内の電子が,前記フォトカソードに隣接する真空エンクロージャ内の電子よりも高いエネルギーを有しかつ前記フォトカソードの活性領域から真空エンクロージャ内へ放出される高い確率を有するように,前記フォトカソードを高真空に維持するための真空エンクロージャと,から成る電子ソース。

IPC (2)：

H01J 37/06 , H01J 1/34

FI (2)：

H01J 37/06 A , H01J 1/34 C

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

スピン偏極電子源
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-199088 Applicant：株式会社日立製作所
特開昭62-008436
特開平3-176953

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