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J-GLOBAL ID：200903038372225508

化合物単結晶の製造方法、およびそれに用いる製造装置

Inventor： 北岡 康夫 ,  峯本 尚 ,  木戸口 勲 ,  高橋 康仁 ,  佐々木 孝友 ,  森 勇介 ,  川村 史朗
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社 ,  森 勇介
Agent (1)： 特許業務法人池内・佐藤アンドパートナーズ
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005041711
Publication number (International publication number)：2005263622
Application date： Feb. 18, 2005
Publication date： Sep. 29, 2005
Summary：

【課題】 成長レートを向上し、結晶均一性が高く大きな単結晶を短時間で育成できる化合物単結晶、特にガリウムナイトライドやアルミニウムナイトライドなどのIII族窒化物単結晶の製造方法、およびそれに用いる製造装置を提供する。【解決手段】 原料液において、原料ガスと接する気液界面から前記原料液の内部に向かう流れが生じるように、前記原料液を攪拌しながら化合物単結晶を成長させる。前記攪拌によって、原料ガスを容易に原料液に溶解することができ、短時間で過飽和状態を実現することが可能であり、化合物単結晶の成長レートを向上させることができる、しかも、前記攪拌によって、原料ガス濃度の高い気液界面から原料ガス濃度の低い原料液内部への流れが形成され、原料ガスの溶解も均一となるので、気液界面での不均一な核発生を抑制でき、得られる化合物単結晶の品質も向上する。【選択図】なし

Claim (excerpt)：

原料ガスと原料液とを反応させて化合物単結晶を成長させる化合物単結晶の製造方法であって、前記原料液において、前記原料ガスと接する気液界面から前記原料液の内部に向かって流れが生じるように、前記原料液を攪拌しながら前記単結晶を成長させることを特徴とする製造方法。

IPC (3)：

C30B9/10 ,  C30B29/38 ,  H01L21/208

FI (3)：

C30B9/10 ,  C30B29/38 D ,  H01L21/208 D

F-Term (24)：

4G077AA02 ,  4G077BE13 ,  4G077BE15 ,  4G077CC04 ,  4G077EA01 ,  4G077EA04 ,  4G077EA06 ,  4G077EG01 ,  4G077EG14 ,  4G077EG22 ,  4G077EG25 ,  4G077EJ05 ,  4G077HA02 ,  4G077LA01 ,  4G077LA03 ,  4G077LA05 ,  5F053AA03 ,  5F053BB00 ,  5F053DD20 ,  5F053FF01 ,  5F053GG01 ,  5F053HH05 ,  5F053LL02 ,  5F053RR05

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

• GaN単結晶の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-097551   Applicant：科学技術振興事業団