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J-GLOBAL ID：200903038386531172

半導体装置および半導体素子の金属配線形成用ホトマスクとその形成方法

Inventor：
ホ ヨン チョル

About ホ ヨン チョル


Applicant, Patent owner：
ヒュンダイ エレクトロニクス インダストリーズ カムパニー リミテッド

About ヒュンダイ エレクトロニクス インダストリーズ カムパニー リミテッド


Agent (1)： 谷 義一 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997111603
Publication number (International publication number)：1998056015
Application date： Apr. 28, 1997
Publication date： Feb. 24, 1998
Summary：
【要約】【課題】 プラズマを用いてドライエッチングを行うとき、下部のゲート酸化膜の劣化を防止して、素子の特性の劣化を制御する。【解決手段】 半導体素子の金属配線を形成するためのホトマスク形成方法であって、素子を正常に動作させるのに必要な基本金属パターンを設計する工程と、基本金属パターンを所定幅拡張して拡張金属パターンを設計する工程と、拡張金属パターンを反転させてダミー金属パターンを設計する工程と、基本金属パターンとダミー金属パターンとを合成して最終金属パターンを設計する工程とを具備するホトマスク形成方法によりホトマスクを形成し、これを用いて半導体素子の金属配線を形成する。
Claim (excerpt)：
絶縁層上に形成される電気的連結のための金属配線を有する半導体装置において、前記金属配線が基本金属パターンおよびダミー金属パターンを含み、前記基本金属パターンとダミー金属パターンとの間隔が一定間隔に維持されていることを特徴とする半導体装置。
IPC (4)：
H01L 21/3205 ,  G03F 1/08 ,  H01L 21/3065 ,  H01L 21/027
FI (4)：
H01L 21/88 B ,  G03F 1/08 A ,  H01L 21/302 J ,  H01L 21/30 502 P
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (4)
  • 特開平4-307958
  • 特開平1-295443
  • ICチップ自動レイアウト設計システム
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-003723   Applicant：日本電気アイシーマイコンシステム株式会社
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