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J-GLOBAL ID：200903038393726191
半導体基板および半導体発光素子
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
植本 雅治
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998056109
Publication number (International publication number)：1999238687
Application date： Feb. 20, 1998
Publication date： Aug. 31, 1999
Summary：
【要約】【課題】 結晶欠陥や歪みなどが少なく、結晶品質が安定しており、作製工程が容易で歩留りの良好な高性能のGaN系化合物半導体から構成される半導体基板および半導体発光素子を提供する。【解決手段】 単結晶基板11の表面に積層された選択成長の核発生層12となる結晶層上に、円形パターンの穴が周期的に配置されている選択成長用マスク13が積層され、該選択成長用マスクの円形パターンの穴を通して、GaN系化合物半導体層15が選択成長されて形成されている。
Claim (excerpt)：
単結晶基板表面上に、あるいは、単結晶基板表面に積層された選択成長の核発生層となる結晶層上に、円形パターンの穴が周期的に配置されている選択成長用マスクが積層され、該選択成長用マスクの円形パターンの穴を通して、GaN系化合物半導体層が選択成長されて形成されていることを特徴とする半導体基板。
IPC (3)：
H01L 21/205
, H01L 33/00
, H01S 3/18
H01L 21/205
, H01L 33/00 C
, H01S 3/18
