CMOS薄膜半導体装置及びその製造方法

Inventor： , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：小川勝男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995266684
Publication number (International publication number)：1997116157
Application date： Oct. 16, 1995
Publication date： May. 02, 1997
Summary：

【要約】【課題】簡便なCMOS TFT回路の作成方法を提供すること。【解決手段】マスクなしでドープされた第一の導電型のドーピング層を、濃度の高い第二導電型のドーパントで補償して導電型を反転させ、第二導電型のドープ層とする。また、この補償による導電型の反転を容易に、かつ確実に行うため、第二導電型のドーパントで補償する前に、第一導電型のドープ層の表面濃度を低下させる。

Claim (excerpt)：

基板上に能動層シリコン膜を形成する工程と、前記能動層シリコン膜を第一の導電型にドープする工程と、第一の導電型にドープされた層の一部を第二の導電型のドーパントで補償,反転させる工程とを含むことを特徴とするCMOS薄膜半導体装置の製造方法。

IPC (5)：

H01L 29/786 , H01L 21/336 , G02F 1/136 500 , H01L 21/8238 , H01L 27/092

FI (5)：

H01L 29/78 616 L , G02F 1/136 500 , H01L 27/08 321 N , H01L 29/78 613 A , H01L 29/78 618 F

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

薄膜トランジスタの作製方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-089119 Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所
CMOS薄膜トランジスタ及び薄膜トランジスタの製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-237590 Applicant：富士ゼロックス株式会社
特開平1-171274

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