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J-GLOBAL ID：200903038498765648

SiC単結晶の育成方法

Inventor： 梶ヶ谷 富男
Applicant, Patent owner： 住友金属鉱山株式会社
Agent (1)： 上田 章三
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996356074
Publication number (International publication number)：1998182297
Application date： Dec. 24, 1996
Publication date： Jul. 07, 1998
Summary：

【要約】【課題】 デバイス動作不良の原因となるマイクロパイプ等の結晶欠陥が無くかつ高品質で大型のSiC単結晶を育成できるSiC単結晶の育成方法を提供すること。【解決手段】 平板状の種結晶を用いた昇華法によるSiC単結晶の育成方法であり、(0001)面に平行若しくは垂直な面を持つ種結晶を用いてSiC結晶の第一育成を行った後、この育成されたSiC結晶から第一育成とは垂直な面方位を持つ(0001)面に垂直若しくは平行な面で切り出したウエーハを種結晶としてSiC結晶の第二育成を行うと共に、これ等第一育成と第二育成とを交互に必要回繰返してSiC単結晶を育成させることを特徴とする。

Claim (excerpt)：

平板状の種結晶を用いた昇華法によるSiC単結晶の育成方法において、(0001)面に平行若しくは垂直な面を持つ種結晶を用いてSiC結晶の第一育成を行った後、この育成されたSiC結晶から第一育成とは垂直な面方位を持つ(0001)面に垂直若しくは平行な面で切り出したウエーハを種結晶としてSiC結晶の第二育成を行うと共に、これ等第一育成と第二育成とを交互に必要回繰返してSiC単結晶を育成させることを特徴とするSiC単結晶の育成方法。

IPC (2)：

C30B 29/36 ,  C30B 23/00

FI (2)：

C30B 29/36 A ,  C30B 23/00

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• SiC単結晶の成長方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-286956   Applicant：新日本製鐵株式会社
• 特開平3-295898