SiC単結晶の成長方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：八田幹雄
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994286956
Publication number (International publication number)：1996143396
Application date： Nov. 21, 1994
Publication date： Jun. 04, 1996
Summary：

【要約】【目的】マイクロパイプ欠陥の非常に少ない良質で大型のSiC単結晶を成長させる方法を提供する。【構成】昇華再結晶法において、{0001}面から約60°〜約120°傾いた結晶面を第1の種結晶として使用して成長した第1のSiC単結晶から、新たに{0001}ウェハを取り出し、これを第2の種結晶として成長を行なう。

Claim (excerpt)：

黒鉛製の坩堝内においてSiC原料粉末を不活性気体雰囲気中で加熱昇華させ原料よりやや低温になっている種結晶のSiC単結晶基板上にSiC単結晶を成長させる昇華再結晶法において、{0001}面から約60°〜約120°傾いたSiC単結晶の結晶面を第1の種結晶として使用して成長させた第1のSiC単結晶から、新たに{0001}ウェハを取り出し、これを第2の種結晶とし再び上記昇華再結晶法によって第2のSiC単結晶を成長させる方法。

IPC (3)：

C30B 29/36 , C30B 23/00 , H01L 21/203

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (5)

SiC単結晶およびその成長方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-098148 Applicant：新日本製鐵株式会社
特開平4-012096
単結晶炭化ケイ素の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-148834 Applicant：三洋電機株式会社

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Cited by examiner (3)

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