ボールグリッドアレイ型半導体装置

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：尾身祐助
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997231954
Publication number (International publication number)：1999074404
Application date： Aug. 28, 1997
Publication date： Mar. 16, 1999
Summary：

【要約】【目的】リードフレームを使用するBGAにおいて、GND配線のインダクタンスを低減し、かつ、放熱性を向上させる。【構成】アイランド2とインナーリード3とを有するリードフレームを用い、インナーリード3の半田ボール取り付け部4を除く部分をハーフエッチングして薄くする。アイランド2上に半導体チップ1を搭載し、チップ上のGNDパッドをワイヤー5にてアイランド2に接続するとともに、チップ上のGNDパッド以外の電極パッドをワイヤー5を介してインナーリード3の内側先端部に接続する。全体を封止樹脂7にて封止した後、インナーリード3の半田ボール取り付け部4とアイランド2の裏面に半田ボール6を取り付ける。

Claim (excerpt)：

リードフレームのアイランド上に半導体チップがマウントされ、ボール取り付け部を有しその内側先端部が前記アイランドの周囲に配列されているインナーリードの内側先端部と前記半導体チップの電極パッドとがワイヤーにより接続され、少なくとも前記半導体チップおよび前記ワイヤーが樹脂により封止され、前記インナーリードのボール取り付け部に導電性ボールが取り付けられたボールグリッドアレイ型半導体装置において、前記半導体チップのGNDパッドと前記アイランドとがワイヤーにより接続され、かつ、前記アイランドの半導体チップの搭載面とは反対側の面に実装基板上への接続手段が設けられていることを特徴とするボールグリッドアレイ型半導体装置。

IPC (2)：

H01L 23/12 , H01L 23/50

FI (2)：

H01L 23/12 L , H01L 23/50 R

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

樹脂封止型半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-103737 Applicant：株式会社日立製作所

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