MOSトランジスタの製造方法

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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：矢野敏雄 (外3名)
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：1998515127
Publication number (International publication number)：2001501033
Application date： Sep. 03, 1997
Publication date： Jan. 23, 2001
Summary：

【要約】HDDプロファイル及びLDDプロファイルを有するMOSトランジスタを製造するために、LDDプロファイルの範囲に急勾配のドーピング物質プロファイルを発生するように、まずHDDプロファイル、かつ続いてLDDプロファイルを形成する。LDDプロファイルは、有利にはエッチング及びその場でドーピングされる選択的エピタキシーによって製造する。

Claim (excerpt)：

少なくとも主面の範囲にシリコンを含む基板の主面上に、ゲート誘電体(5)とゲート電極(6)を形成し、実質的に同じ形の縁カバーを有する第1の補助層(8)を堆積させ、実質的に同じ形の縁カバーを有する第2の補助層(9)を堆積させ、この補助層が、第1の補助層(8)に対して選択的にエッチング可能であり、ゲート電極(6)の側面の範囲において第2の補助層(9)の異方性再エッチングによって、スペーサ(91)を形成し、ソース/ドレイン領域のための第1の部分領域(13)を形成するために注入を行ない、第1の補助層(8)に対して選択的にスペーサ(91)を除去し、次にソース/ドレイン領域の第2の部分領域(18)を形成する範囲において、基板(1)の表面をエッチング(17)し、その場でドーピングされる選択的エピタキシーによって、ソース/ドレイン領域のための第2の部分領域(18)を形成し、その際、第2の部分領域(18)が、第1の部分領域(15)よりもわずかなドーピング物質濃度及びわずかな深さを有することを特徴とする、MOSトランジスタの製造方法。

IPC (5)：

H01L 21/8238 , H01L 21/336 , H01L 27/092 , H01L 29/78 , H01L 29/786

FI (3)：

H01L 27/08 321 E , H01L 29/78 301 L , H01L 29/78 616 A

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-043824 Applicant：株式会社日立製作所
特開平4-268733
電界効果型トランジスタおよびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-000062 Applicant：日本電気株式会社

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