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J-GLOBAL ID：200903038549695119

MOSトランジスタの製造方法

Inventor： ベルンハルト ルスティッヒ ,  ヘルベルト シェーファー ,  マーティン フラノシュ
Applicant, Patent owner： シーメンス アクチエンゲゼルシヤフト
Agent (1)： 矢野 敏雄 (外3名)
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：1998515127
Publication number (International publication number)：2001501033
Application date： Sep. 03, 1997
Publication date： Jan. 23, 2001
Summary：

【要約】HDDプロファイル及びLDDプロファイルを有するMOSトランジスタを製造するために、LDDプロファイルの範囲に急勾配のドーピング物質プロファイルを発生するように、まずHDDプロファイル、かつ続いてLDDプロファイルを形成する。LDDプロファイルは、有利にはエッチング及びその場でドーピングされる選択的エピタキシーによって製造する。

Claim (excerpt)：

少なくとも主面の範囲にシリコンを含む基板の主面上に、ゲート誘電体(5)とゲート電極(6)を形成し、 実質的に同じ形の縁カバーを有する第1の補助層(8)を堆積させ、 実質的に同じ形の縁カバーを有する第2の補助層(9)を堆積させ、この補助層が、第1の補助層(8)に対して選択的にエッチング可能であり、 ゲート電極(6)の側面の範囲において第2の補助層(9)の異方性再エッチングによって、スペーサ(91)を形成し、 ソース/ドレイン領域のための第1の部分領域(13)を形成するために注入を行ない、 第1の補助層(8)に対して選択的にスペーサ(91)を除去し、 次にソース/ドレイン領域の第2の部分領域(18)を形成する範囲において、基板(1)の表面をエッチング(17)し、 その場でドーピングされる選択的エピタキシーによって、ソース/ドレイン領域のための第2の部分領域(18)を形成し、その際、第2の部分領域(18)が、第1の部分領域(15)よりもわずかなドーピング物質濃度及びわずかな深さを有することを特徴とする、MOSトランジスタの製造方法。

IPC (5)：

H01L 21/8238 ,  H01L 21/336 ,  H01L 27/092 ,  H01L 29/78 ,  H01L 29/786

FI (3)：

H01L 27/08 321 E ,  H01L 29/78 301 L ,  H01L 29/78 616 A

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-043824   Applicant：株式会社日立製作所
• 特開平4-268733
  
• 電界効果型トランジスタおよびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-000062   Applicant：日本電気株式会社