電界効果型トランジスタおよびその製造方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：京本直樹 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995000062
Publication number (International publication number)：1996186257
Application date： Jan. 04, 1995
Publication date： Jul. 16, 1996
Summary：

【要約】【目的】短チャネル効果を抑制するために、不純物の高濃度による低抵抗化と、浅い接合の形成を両立させる。【構成】拡散層をチャネル側に浅く延長するエクステンション構造を有する電界効果型トランジスタにおいて、エクステンション領域10は、選択的にゲルマニウムもしくはゲルマニウムとシリコンの混晶により形成される。エクステンション領域10は、ソース・ドレイン拡散層6の形成後に形成される。ソース・ドレイン拡散層6は、エクステンション領域10の外側のシリコン基板1上に通常のプロセスで形成される。

Claim (excerpt)：

ソース・ドレイン高濃度不純物層からチャネル側へ向かって、基板表面に接して、かつソース・ドレインよりも浅い領域に、高濃度不純物層が延長されるエクステンション構造を持つ電界効果型トランジスタにおいて、延長された高濃度不純物層であるソース・ドレインエクステンションが、ゲルマニウムにより形成されるか、もしくはシリコンとゲルマニウムの混晶により形成されることを特徴とする電界効果型トランジスタ。

IPC (3)：

H01L 29/78 , H01L 21/336 , H01L 29/786

FI (4)：

H01L 29/78 301 S , H01L 29/78 301 P , H01L 29/78 616 V , H01L 29/78 616 L

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

特開昭61-220372
特開平3-052237
半導体装置及び半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-352324 Applicant：株式会社東芝

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