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J-GLOBAL ID：200903038597965519

AlN結晶の表面処理方法、AlN結晶基板、エピタキシャル層付AlN結晶基板および半導体デバイス

Inventor： 石橋 恵二 ,  西浦 隆幸 ,  上村 智喜 ,  宮永 倫正 ,  藤原 伸介
Applicant, Patent owner： 住友電気工業株式会社
Agent (6)： 深見 久郎 ,  森田 俊雄 ,  仲村 義平 ,  堀井 豊 ,  野田 久登 ,  酒井 將行
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004241269
Publication number (International publication number)：2006060074
Application date： Aug. 20, 2004
Publication date： Mar. 02, 2006
Summary：

【課題】 効率よくAlN結晶にモフォロジーの良好な表面を形成するAlN結晶の表面処理方法を提供する。【解決手段】 AlN結晶1の表面を化学的機械的に研磨するAlN結晶の表面処理方法であって、化学的機械的研磨に用いられるスラリー17の砥粒が、AlN結晶1よりも硬度の高い高硬度砥粒と、AlN結晶1以下に硬度の低い低硬度砥粒とを含むAlN結晶の表面処理方法。ここで、スラリー17の砥粒16における高硬度砥粒と低硬度砥粒との体積比率を、高硬度砥粒:低硬度砥粒=5:95〜70:30とすることができる。【選択図】 図1

Claim (excerpt)：

AlN結晶の表面を化学的機械的に研磨するAlN結晶の表面処理方法であって、 化学的機械的研磨に用いられるスラリーの砥粒が、前記AlN結晶よりも硬度の高い高硬度砥粒と、前記AlN結晶以下に硬度の低い低硬度砥粒とを含むAlN結晶の表面処理方法。

IPC (2)：

H01L 21/304 ,  B24B 37/00

FI (3)：

H01L21/304 622B ,  H01L21/304 622D ,  B24B37/00 H

F-Term (8)：

3C058AA07 ,  3C058AA09 ,  3C058CA01 ,  3C058CB01 ,  3C058CB03 ,  3C058DA02 ,  3C058DA12 ,  3C058DA17

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (3)

• 米国特許第6596079号明細書
  
• 米国特許第6488767号明細書
  
• 国際公開第03/043780号パンフレット
  

Cited by examiner (3)

• 硬脆材料基板用研磨剤
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-385483   Applicant：株式会社岡本工作機械製作所
• 3族窒化物半導体素子の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-214003   Applicant：豊田合成株式会社
• 多波長発光素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-375326   Applicant：三菱電線工業株式会社