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J-GLOBAL ID：200903038600128429

半導体レーザ素子

Inventor： 大久保 典雄 ,  菊田 俊夫
Applicant, Patent owner： 古河電気工業株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992280640
Publication number (International publication number)：1994112584
Application date： Sep. 25, 1992
Publication date： Apr. 22, 1994
Summary：

【要約】【目的】 製作が容易で、端面破壊最大光出力が大きい半導体レーザ素子を提供する。【構成】 半導体基板1上に活性層5を含むダブルヘテロ構造と電極9を積層し、電極9から活性層5への電流注入領域を設けた半導体レーザ素子において、電流注入領域の反射端面近傍に、該電流注入領域内において相対的に高い立ち上がり電圧を有する金属9と半導体7のショットキー接合を設け、反射端面近傍における注入電流密度を低減する。

Claim (excerpt)：

半導体基板上に活性層を含むダブルヘテロ構造と電極を積層し、電極から活性層への電流注入領域を設けた半導体レーザ素子において、電流注入領域の反射端面近傍に、該電流注入領域内において相対的に高い立ち上がり電圧を有する金属と半導体のショットキー接合を設けたことを特徴とする半導体レーザ素子。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開昭49-038593
  
• 特開平4-111375
  
• 半導体レーザ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-232501   Applicant：オリンパス光学工業株式会社