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J-GLOBAL ID：200903038629853530

薄膜トランジスタ及びその製造方法

Inventor： 浦園 丈展 ,  野口 隆 ,  金谷 康弘
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 松隈 秀盛
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997006816
Publication number (International publication number)：1998209452
Application date： Jan. 17, 1997
Publication date： Aug. 07, 1998
Summary：

【要約】【課題】 薄膜トランジスタの特性を向上させるとともにその製造工程の短縮化等を図る。【解決手段】 基板1上に第1のゲート電極2を形成し、第1のゲート電極2の上側に薄膜半導体4を形成し、薄膜半導体4の上側に、薄膜トランジスタに接続する信号線として用いる材料を成膜する。この材料を、信号線8の形状にパターニングすると同時に第2のゲート電極9の形状にパターニングすることにより、信号線8と第2のゲート電極9とを同時に形成する。

Claim (excerpt)：

基板上に第1のゲート電極が形成され、前記第1のゲート電極の上側に薄膜半導体が形成され、前記薄膜半導体の上側に第2のゲート電極が形成されていることを特徴とする薄膜トランジスタ。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開平4-010660
  
• 半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-275104   Applicant：富士通株式会社
• 薄膜トランジスタと薄膜トランジスタの製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-154609   Applicant：スタンレー電気株式会社