配線構造およびその形成方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：岡田和秀
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995322937
Publication number (International publication number)：1997162288
Application date： Dec. 12, 1995
Publication date： Jun. 20, 1997
Summary：

【要約】【課題】研磨プロセスを用いて形成される埋め込み配線あるいはプラグといった配線において、薬液洗浄による下地導電層の溶解を防止してスリットの発生をなくし、また、配線上の研磨粒子を確実に除去できるようにする。【解決手段】基板1上の絶縁膜2に形成した溝またはホール3内に、下地導電層であるチタン4の上端が、絶縁膜2の上端よりも下方に位置するように形成し、その後、埋め込み配線あるいはプラグの主材料7を全面に堆積し、研磨粒子9を用いた研磨によって埋め込み配線またはプラグ8を形成し、埋め込み配線またはプラグ8の表面が、絶縁膜2の表面に対して凸になるように薬液処理を行って、その後残存する研磨粒子9を機械的に除去するようにしている。

Claim (excerpt)：

基板上の絶縁膜に、溝またはホールが形成されるとともに、前記溝またはホールに、少なくとも2種類以上の導電体が充填された配線構造において、前記溝またはホールの内部表面に、第1の導電体が、その上端が前記絶縁膜の上端よりも下方に位置するように形成されるとともに、前記上端を含む前記第1の導電体の表面に、前記第1の導電体とは異なる1種類以上の導電体が形成されることを特徴とする配線構造。

IPC (2)：

H01L 21/768 , H01L 21/304 321

FI (2)：

H01L 21/90 B , H01L 21/304 321 S

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-296493 Applicant：日本電気株式会社
特開平3-292765

Cited by examiner (2)

半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-296493 Applicant：日本電気株式会社
特開平3-292765

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