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J-GLOBAL ID：200903038688732630
BGAの寿命推定方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000110235
Publication number (International publication number)：2001298107
Application date： Apr. 12, 2000
Publication date： Oct. 26, 2001
Summary：
【要約】【課題】BGAが冷熱衝撃を受けた場合の不良発生予測方法、信頼性の高い寿命推定方法を提供する。【解決手段】BGAの不良原因が最外半田部の破断であることに注目し、該部位のFEM応力計算及び冷熱衝撃試験を基に破断回帰線を作成し、様々なBGAの破断時期を予測する。BGA中心から最外半田部までの距離及び半田の高さを位置要因とし応力計算を行うことを特徴とする寿命推定方法である。具体的には、5つの工程で解析する寿命推定方法であり、(1)BGA搭載基板の冷熱衝撃試験を実施し不良確率線を求める(2)不良確率線より所望の不良確率での冷熱衝撃回数を求める(3)FEMによりBGA最外半田部の該当応力を計算する(4)最外半田部までの距離の異なる2点を結んだ冷熱衝撃回数と応力の関係図より同種BGAの寿命を推定する(5)半田の高さを変え同様な操作を行い別種BGAの寿命を推定する方法である。
Claim (excerpt)：
半田ボール接続型半導体装置(BGA)が回路基板搭載後に冷熱衝撃を受けた場合の不良発生を推定する方法であり、最少2回の有限要素法応力計算及び冷熱衝撃試験によりBGAの最外半田部が破断を起こす関係(冷熱衝撃回数と応力の回帰線)を求めBGA不良を予測することを特徴とするBGAの寿命推定方法。
Patent cited by the Patent：
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