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J-GLOBAL ID：200903038694255615

半導体装置及びその製造方法並びにその製造装置

Inventor： 斉 木 篤 ,  鈴 木 道 夫 ,  小 塩 良 次 ,  佐 々 木 典 令 ,  佐 藤 等 ,  岡 崎 信 次 ,  西 田 高 ,  前 島 央
Applicant, Patent owner： 日立プラント建設株式会社 ,  株式会社日立製作所
Agent (1)： 松浦 憲三
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993079473
Publication number (International publication number)：1994318538
Application date： Apr. 06, 1993
Publication date： Nov. 15, 1994
Summary：

【要約】【目的】化学増幅作用に影響のない濃度までアルカリ性ガス物質を低減した清浄空気を、パターン形成を行う清浄室に長期間に渡って供給することのできる半導体装置の製造方法及びその製造装置並びに半導体装置を提供する。【構成】ウエハ表面に感光性有機膜の前躯体を形成する装置14、前記感光性有機膜に紫外線領域の波長光を照射する装置16、紫外線領域の波長光が照射された前記感光性有機膜を現像すると共に、現像された前記感光性有機膜をベーキングする装置18から成る半導体装置の製造装置を収納するクリーンルーム10の清浄室10Aに、アルカリ性ガス物質を効率的に吸収する酸性硫酸塩等の化学物質を活性炭に添着したアルカリ性ガス物質除去フィルタを通して空気を供給する。

Claim (excerpt)：

ウエハ表面に感光性有機膜の前躯体を形成する工程と、前記感光性有機膜に紫外線領域の波長光を照射する工程と、紫外線領域の波長光が照射された前記感光性有機膜を現像する工程と、現像された前記感光性有機膜をベーキングする工程と、から成る半導体装置の製造方法に於いて、前記各工程を行う空間に、アルカリ性ガス物質を低減させた清浄空気を供給することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (6)：

H01L 21/027 ,  G03F 7/20 521 ,  G03F 7/26 ,  H01L 21/02 ,  H01L 21/302 ,  H01L 21/312

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

• レジスト処理方法及びレジスト処理装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-001872   Applicant：株式会社東芝
• 環境制御装置および環境制御方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-066512   Applicant：松下電器産業株式会社

Cited by examiner (1)

• レジスト処理方法及びレジスト処理装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-001872   Applicant：株式会社東芝