半導体発光装置

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner： , ,
Agent (1)：清水敬一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000129581
Publication number (International publication number)：2001313417
Application date： Apr. 28, 2000
Publication date： Nov. 09, 2001
Summary：

【要約】【課題】半導体発光装置の演色性を改善する。【解決手段】窒化物系化合物半導体から成る発光層(4g)を有する発光素子(4)と、発光波長変換部材(9)とを備えた半導体発光装置(1)において、発光波長変換部材(9)は、発光素子(4)からの発光の少なくとも一部を吸収して発光素子(4)からの発光波長より長い波長の光を発生するR3M5O12:Ce、Prの一般式で表される蛍光体である。一般式中、Rはイットリウム(Y)及びガドリニウム(Gd)のうちの少なくとも1元素、Mはアルミニウム(Al)及びガリウム(Ga)のうちの少なくとも1元素であるため、赤色系発光となる波長成分の新たな発光ピーク及び十分な輝度が得られ、演色性が向上する。

Claim (excerpt)：

窒化物系化合物半導体から成る発光層を有する発光素子と、発光波長変換部材とを備えた半導体発光装置において、前記発光波長変換部材は、前記発光素子からの発光の少なくとも一部を吸収して前記発光素子からの発光波長より長い波長の光を発生するR3M5O12:Ce、Prの一般式で表される蛍光体であり、Rはイットリウム(Y)及びガドリニウム(Gd)のうちの少なくとも1元素、Mはアルミニウム(Al)及びガリウム(Ga)のうちの少なくとも1元素であることを特徴とする半導体発光装置。

FI (2)：

H01L 33/00 C , H01L 33/00 N

F-Term (5)：

5F041AA11 , 5F041CA34 , 5F041CA40 , 5F041DA42 , 5F041EE25

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

光源用の発光物質及び該発光物質を含む光源
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-329130 Applicant：パテント-トロイハント-ゲゼルシヤフトフユールエレクトリツシエグリユーラムペンミツトベシユレンクテルハフツング
赤の不足を補償する蛍光体を使用したLED
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-031534 Applicant：アジレント・テクノロジーズ・インク
半導体発光装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-017535 Applicant：日亜化学工業株式会社

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