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J-GLOBAL ID：200903038824332277

窒化物半導体発光素子

Inventor： 山田 元量
Applicant, Patent owner： 日亜化学工業株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998328631
Publication number (International publication number)：2000150956
Application date： Nov. 18, 1998
Publication date： May. 30, 2000
Summary：

【要約】【課題】本発明は、窒化物半導体を利用したより長波長が発光可能な発光素子に係わり、特に信頼性高く長波長を高輝度に発光可能な窒化物半導体発光素子を提供することにある。【解決手段】本発明は、p型窒化物半導体とn型窒化物半導体との間にInとGaとを含む窒化物半導体を包含する発光層を有する窒化物半導体発光素子であって、発光層の少なくとも一方にBxGa(1-x)N層を有する窒化物半導体発光素子である。

Claim (excerpt)：

p型窒化物半導体とn型窒化物半導体との間にInとGaとを含む窒化物半導体を包含する発光層を有する窒化物半導体発光素子であって、前記発光層の少なくとも一方にB<SB>x</SB>Ga<SB>(1-x)</SB>N層を有することを特徴とする窒化物半導体発光素子。但し、0<x≦1である。

F-Term (9)：

5F041AA04 ,  5F041AA11 ,  5F041AA43 ,  5F041CA04 ,  5F041CA05 ,  5F041CA34 ,  5F041CA46 ,  5F041CA65 ,  5F041CA66

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 窒化物系III-V族化合物半導体の成長方法および半導体発光素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-228876   Applicant：ソニー株式会社