化合物半導体層を有する半導体基板とその作製方法及び該半導体基板に作製された電子デバイス

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：山下穣平
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998065306
Publication number (International publication number)：1998321535
Application date： Mar. 16, 1998
Publication date： Dec. 04, 1998
Summary：

【要約】【課題】結晶欠陥の少ない単結晶化合物半導体膜を大面積なシリコン基板上に、高生産性、高均一性、高制御性、経済的に作製可能な半導体基板の作製方法およびそれによる半導体基板、該基板に作製した半導体素子を提供する。【解決手段】多孔質領域11の封止された孔12を有する表面13上に、単結晶の化合物からなる半導体層14を有する半導体基板。また、多孔質領域11を有するSi基板10を、該多孔質領域の表面の孔12を封止する為に、熱処理する工程(b)と、該熱処理により封止された孔12を有する多孔質領域上に単結晶の化合物半導体層14を、ヘテロエピタキシャル成長させる工程(c)と、を有することを特徴とする半導体基板の作製方法。

Claim (excerpt)：

多孔質領域を有するSi基板の該多孔質領域上に半導体層を有する半導体基板において、前記多孔質領域の封止された孔を有する表面上に、単結晶の化合物からなる前記半導体層を有することを特徴とする半導体基板。

IPC (10)：

H01L 21/205 , C30B 29/68 , H01L 21/02 , H01L 21/203 , H01L 21/3063 , H01L 29/778 , H01L 21/338 , H01L 29/812 , H01L 31/04 , H01L 33/00

FI (8)：

H01L 21/205 , C30B 29/68 , H01L 21/02 B , H01L 21/203 M , H01L 33/00 A , H01L 21/306 L , H01L 29/80 H , H01L 31/04 H

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

特開平3-042818
半導体基板の製造方法および半導体製造装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-119625 Applicant：キヤノン株式会社
化合物半導体結晶層の形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-018787 Applicant：住友電気工業株式会社

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