Pat
J-GLOBAL ID:200903038873226709
素子および該素子の製造方法
Inventor:
,
,
,
Applicant, Patent owner:
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2002263874
Publication number (International publication number):2004103401
Application date: Sep. 10, 2002
Publication date: Apr. 02, 2004
Summary:
【課題】安定性が高く、欠陥の少ない、十分な密着性を有するp-n接合型の積層薄膜素子および該素子の製造方法を提供することをその目的とする。【解決手段】重合性官能基または反応性官能基を有する第1の化合物を含有する第1の層と、重合性官能基または反応性官能基を有する第2の化合物を含有する第2の層とを隣接して設けたことを特徴とする素子。【選択図】 図1
Claim (excerpt):
重合性官能基または反応性官能基を有する第1の化合物を含有する第1の層と、重合性官能基または反応性官能基を有する第2の化合物を含有する第2の層とを隣接して設けたことを特徴とする素子。
IPC (3):
H05B33/14
, H05B33/10
, H05B33/22
FI (4):
H05B33/14 B
, H05B33/10
, H05B33/22 B
, H05B33/22 D
F-Term (3):
3K007AB11
, 3K007DB03
, 3K007FA01
Patent cited by the Patent: