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J-GLOBAL ID：200903038900331641

半導体装置およびその製造方法

Inventor：
山下 寛人

About 山下 寛人


Applicant, Patent owner：
松下電子工業株式会社

About 松下電子工業株式会社


Agent (1)： 岩橋 文雄 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998357503
Publication number (International publication number)：2000183222
Application date： Dec. 16, 1998
Publication date： Jun. 30, 2000
Summary：
【要約】【課題】 金属放熱体の反りや、セラミック枠体の割れが生じることなく、放熱性の優れた半導体装置およびその製造方法を提供すること。【解決手段】 モリブデン板11の上下両面に銅板12を接合して形成した金属放熱体1の上面に半導体素子2を搭載する。金属放熱体1の上面に配設したセラミック枠体3に蓋体4を接合し、中空で半導体素子2を気密封止する。金属放熱体1は、モリブデン板11に貫通孔を形成し、この貫通孔内に熱伝導率の高い銅などの金属片14を挿入した状態で、モリブデン板11の上下両面に銀ろう6を介して銅板12を重ね合わせて加熱した後に冷却し、モリブデン板11、銅板12および銅片14をろう付けして形成する。
Claim (excerpt)：
第1の金属材料の上下両面に前記第1の金属材料よりも熱伝導率の高い第2の金属材料を接合して形成した金属放熱体と、前記金属放熱体の上面に搭載した半導体素子を備えた半導体装置であって、少なくとも前記半導体素子を搭載した領域を含み、前記金属放熱体の上面から前記金属放熱体の下面にまで至って前記第1の金属材料よりも熱伝導率の高い金属材料で構成したことを特徴とする半導体装置。
IPC (2)：
H01L 23/12 ,  H01L 23/373
FI (2)：
H01L 23/12 J ,  H01L 23/36 M
F-Term (4)：
5F036AA01 ,  5F036BB08 ,  5F036BC05 ,  5F036BD01
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (2)

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