半導体の製造中に使用するための石英ガラス部材

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (1)：曾我道照 (外6名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998081029
Publication number (International publication number)：1998273339
Application date： Mar. 27, 1998
Publication date： Oct. 13, 1998
Summary：

【要約】【課題】 CVD層の結合に適切な粗い表面を有する石英ガラス部材のを提供。【解決手段】第1の上方レベルと第2の下方レベルとの間に延在する不規則な隆起した構造的な要素によって形成される粗い表面を有する、半導体の製造中に使用するための石英ガラス部材であって、このような構造的な要素の多数が、第1のレベル上に走るほぼ平坦な覆い面を有し、該覆い面が、第1および第2のレベルの間に走るほぼ平坦な側面によって、すべての側面で小平面を刻む方法で限定されるような石英ガラス部材において、表面の平均粗さ高さRaが0.1μmから10μmの範囲にあり、第1のレベル(2)に投影された構造的な要素(1)の突出部の寸法(L)が30μmから180μmの範囲の平均値を有することを特徴とする。

Claim (excerpt)：

第1の上方レベルと第2の下方レベルとの間に延在する不規則な隆起した構造的な要素によって形成される粗い表面を有する、半導体の製造中に使用するための石英ガラス部材であって、このような構造的な要素の多数が、第1のレベル上に走るほぼ平坦な覆い面を有し、該覆い面が、第1および第2のレベルの間に走るほぼ平坦な側面によって、すべての側面で小平面を刻む方法で限定されるような石英ガラス部材において、表面の平均粗さ高さRaが0.1μmから10μmの範囲にあり、また第1のレベル(2)に投影された構造的な要素(1)の突出部の寸法(L)が30μmから180μmの範囲の平均値を有することを特徴とする石英ガラス部材。

IPC (4)：

C03C 17/00 , C03C 15/00 , H01L 21/205 , H01L 21/31

FI (4)：

C03C 17/00 , C03C 15/00 Z , H01L 21/205 , H01L 21/31 F

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (7)

特開平4-152515
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Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-042347 Applicant：エイ・ティ・アンド・ティ・コーポレーション
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