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J-GLOBAL ID：200903038960693216

半導体発光素子及びその製造方法、並びに半導体発光装置

Inventor： 渡 辺 幸 雄 ,  佐 伯 亮 ,  野 崎 秀 樹
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 佐藤 一雄 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998040707
Publication number (International publication number)：1999004020
Application date： Feb. 23, 1998
Publication date： Jan. 06, 1999
Summary：

【要約】【課題】 光取り出し電極直下の電流を制限する電流ブロック層の配置及び構造を改善して半導体発光素子の発光効率を向上させる。【解決手段】 透明電極9直下に設けられた電流ブロック層7は、Alを含み発光波長以上のバンドギャップを有する半導体層で形成されている。電流ブロック層7を前記半導体層で形成することによりITO膜などの酸素を含む透明電極9を形成する過程で電流ブロック層7の表面または表面近傍に酸化膜が形成され、電流ブロックが有効に作用する。ボンディング用電極20の径を電流ブロック層7の直径より小さくして発光を有効に取り出すことができる。更に、酸化された電流ブロック層は、耐圧を高くしその為薄く形成することができ、透明電極を該ブロック層上に形成する際段切れを起こし難くする。透明電極9とオーミック層6の間に薄いZn層8を介在させることにより密着性を良くする。

Claim (excerpt)：

半導体基板と、前記半導体基板上に成長されたpn接合を有する活性層を含む発光層と、前記発光層の発光面全面を覆うように形成された光取り出し側電極の酸素を含む透明電極と、前記透明電極上に形成されたボンディング用電極と、前記透明電極の下に形成され、前記ボンディング用電極の直下に配置された電流ブロック層とを備え、前記電流ブロック層は、発光波長以上のバンドギャッブを有するAlを含む半導体から構成されていることを特徴とする半導体発光素子。

FI (2)：

H01L 33/00 E ,  H01L 33/00 B

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 半導体発光装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-044451   Applicant：株式会社東芝
• 特開平4-229665
  
• 半導体発光素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-199324   Applicant：株式会社東芝
• 特開平4-229665