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J-GLOBAL ID：200903081469249498

半導体発光素子

Inventor： 野崎 秀樹 ,  海野 和美 ,  出井 康夫 ,  西谷 克彦
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 竹村 壽
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995199324
Publication number (International publication number)：1997036431
Application date： Jul. 13, 1995
Publication date： Feb. 07, 1997
Summary：

【要約】【課題】 光取り出し電極下に集中していた電流を広げ、光取り出し効率を高めて高輝度化を達成する半導体発光素子を提供する。【解決手段】 半導体基板1は、発光層と、発光層上の所定の領域に形成された電流ブロック層10と、前記発光層及び前記電流ブロック層10上に形成された光取り出し電極20と、半導体基板の第2の主面に形成された基板側電極9とを備えている。光取り出し電極はボンディングパッド部21と電流供給電極22とからなり電流ブロック層はこのボンディングパッド部の下に形成されている。電流ブロック層はボンディングパッド部の下に電流が流れるのを阻止し、電流供給電極は半導体発光素子の光取り出し効率を著しく高める。

Claim (excerpt)：

半導体基板と、前記半導体基板の第1の主面に形成され、複数の半導体層から構成された発光層と、前記発光層上の所定の領域に形成された電流ブロック層と、前記発光層及び前記電流ブロック層上に形成された光取り出し電極と、前記半導体基板の第2の主面に形成された基板側電極とを備え、前記光取り出し電極は、外部から電流を供給するボンディングワイヤが接続される領域であるボンディングパッド部と電流供給電極とからなり、前記電流ブロック層は、このボンディングパッド部の下に形成されていることを特徴とする半導体発光素子。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 特開昭61-006880
  
• 面発光型半導体発光ダイオード
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-237061   Applicant：株式会社東芝
• 発光素子構造
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-180118   Applicant：三菱電線工業株式会社
• 半導体発光装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-339721   Applicant：日本ビクター株式会社