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J-GLOBAL ID：200903038969076708

磁気センサ

Inventor： 田中 厚志 ,  佐藤 雅重
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 北野 好人
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996062201
Publication number (International publication number)：1997251618
Application date： Mar. 19, 1996
Publication date： Sep. 22, 1997
Summary：

【要約】【課題】 磁界を検出する磁気センサ、特に、スピントンネル現象を利用した磁気センサに関し、信号対雑音比を向上し、磁界感度の高い磁気センサを提供する。【解決手段】 磁気センサの基本構造は、反強磁性材料からなる反強磁性体層11、保磁力の大きな強磁性材料からなる強磁性体層12、絶縁材料からなる絶縁体層13、保磁力の小さな軟磁性材料からなる軟磁性体層14、絶縁体層15、保磁力の大きな強磁性材料からなる強磁性体層16、反強磁性材料からなる反強磁性体層17が順番に積層された積層体10である。強磁性体層12と軟磁性体層14とによりトンネル接合が構成され、強磁性体層16と軟磁性体層14とによりトンネル接合が構成される。

Claim (excerpt)：

磁化容易軸が第1の方向である第1の磁性体層と、磁化容易軸が前記第1の方向と異なる第2の方向である第2の磁性体層と、前記第1の磁性体層と前記第2の磁性体層の間に位置し、前記第1の磁性体層及び前記第2の磁性体層よりも保磁力の小さい第3の磁性体層と、前記第1の磁性体層と前記第3の磁性体層の間に挿入された第1の絶縁体層と、前記第2の磁性体層と前記第3の磁性体層の間に挿入された第2の絶縁体層とを有し、前記第1の磁性体層と前記第3の磁性体層間のトンネル抵抗と、前記第2の磁性体層と前記第3の磁性体層間のトンネル抵抗とに基づいて外部磁界を検出することを特徴とする磁気センサ。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 二重スピン・バルブ磁気抵抗センサ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-275141   Applicant：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション