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J-GLOBAL ID：200903038973783885

光電変換素子

Inventor： 狩谷 俊光
Applicant, Patent owner： キヤノン株式会社
Agent (1)： 丸島 儀一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997242708
Publication number (International publication number)：1998150209
Application date： Sep. 08, 1997
Publication date： Jun. 02, 1998
Summary：

【要約】【課題】 光電変換素子の光電変換効率、開放電圧、短絡光電流、低照度開放電圧、リーク電流といった特性を向上し、また屋外暴露試験、機械的強度、長時間光照射における耐久性を向上すること。さらに光電変換素子のコストを大幅に低減すること。【解決手段】 基板、下部導電層、第1のドープ層、i層、第2のドープ層、及び上部導電層を有する光電変換素子において、前記下部導電層表面が凹凸形状を有し、前記i層が柱状結晶粒を含有し、該柱状結晶粒の長手方向は前記基板の法線方向に対して傾いて配置していることを特徴とする光電変換素子とする。

Claim (excerpt)：

基板、下部導電層、第1のドープ層、i層、第2のドープ層、及び上部導電層を有する光電変換素子において、前記下部導電層表面が凹凸形状を有し、前記i層が柱状結晶粒を含有し、該柱状結晶粒の長手方向は前記基板の法線方向に対して傾いて配置していることを特徴とする光電変換素子。

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (3)

• 薄膜太陽電池とその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-091033   Applicant：株式会社日立製作所
• 特開平3-046377
  
• 特開昭61-084074
  

Cited by examiner (3)

• 薄膜太陽電池とその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-091033   Applicant：株式会社日立製作所
• 特開平3-046377
  
• 特開昭61-084074