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J-GLOBAL ID：200903038990824110

半導体装置及びその製造方法

Inventor：
遠藤 俊一

About 遠藤 俊一


Applicant, Patent owner：
東京エレクトロン株式会社

About 東京エレクトロン株式会社


Agent (1)： 井上 俊夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998297614
Publication number (International publication number)：2000114252
Application date： Oct. 05, 1998
Publication date： Apr. 21, 2000
Summary：
【要約】【課題】 ケイ素を含む絶縁膜や金属配線層とフッ素添加カ-ボン膜との間に密着層を設けることにより、両者の間の密着性を高めること。【解決手段】 SiC膜の成膜ガス例えばSiH4 ガスとC2 H4 ガスとをプラズマ化してSiO2 110の上面に密着層であるSiC膜200を形成する。次いでSiH4 ガスとC2 H4 ガスとC4 F8 ガスとC2 H4 ガスとを導入して成膜ガスの切換え工程を1秒程度行う。続いてCF膜の成膜ガス例えばC4 F8 ガスとC2 H4 ガスとをプラズマ化してSiC膜200の上面にCF膜120を形成する。このようにすると成膜ガスの切換え工程ではSiC膜とCF膜の両方の成膜ガスが存在するので、SiC膜200とCF膜120との境界付近に両方の膜に跨がってSiとCの結合ができてこれらの膜の間の密着性が高められ、結果としてSiO2 膜110とCF膜120との間の密着性が高められる。
Claim (excerpt)：
フッ素添加カ-ボン膜よりなる第1の絶縁膜と、前記第1の絶縁膜の一面側に設けられたケイ素を含む第2の絶縁膜と、前記第1の絶縁膜と第2の絶縁膜との間の剥離を抑えるために、これらの膜の間に設けられた密着層と、を含むことを特徴とする半導体装置。
IPC (3)：
H01L 21/314 ,  H01L 21/31 ,  H01L 21/768
FI (4)：
H01L 21/314 A ,  H01L 21/314 M ,  H01L 21/31 C ,  H01L 21/90 K
F-Term (46)：
5F033QQ98 ,  5F033RR01 ,  5F033RR04 ,  5F033RR06 ,  5F033RR11 ,  5F033RR20 ,  5F033SS01 ,  5F033SS02 ,  5F033SS15 ,  5F033SS19 ,  5F033TT02 ,  5F033XX12 ,  5F045AA10 ,  5F045AB31 ,  5F045AB32 ,  5F045AB33 ,  5F045AC01 ,  5F045AC02 ,  5F045AC07 ,  5F045AC15 ,  5F045AC16 ,  5F045AD07 ,  5F045AD08 ,  5F045AE13 ,  5F045AE15 ,  5F045AF03 ,  5F045BB17 ,  5F045DC53 ,  5F045DP04 ,  5F045EH03 ,  5F045EH17 ,  5F045HA22 ,  5F058BA10 ,  5F058BD02 ,  5F058BD04 ,  5F058BD10 ,  5F058BD12 ,  5F058BD18 ,  5F058BF09 ,  5F058BF23 ,  5F058BF24 ,  5F058BF25 ,  5F058BF26 ,  5F058BF29 ,  5F058BF46 ,  5F058BJ02
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (4)
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